C._Frank_Wheatley_Jr
C.フランクウィートリージュニア（1927年、メリーランド州ボルチモア– 2014年10月18日）は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）の特許を含む、半導体業界内の多くの革新を担当した電気技師でした。 半導体業界での彼の業績は、ニュージャージー発明者の殿堂入りや、IEEEフェローとしての選出など、さまざまな賞を受賞しました。
賞
メリーランド大学は、の殿堂にウィートリーを入会工学A.ジェームズ・クラーク・スクール。 彼はまた、RCAから3つの賞、Harris Corporationから4つの賞、IEEEから5つの賞を受賞しています。
出版物
Google Scholarによると、彼の最も引用されている出版物は次のとおりです。
CTitus JL、ウィートリーCF。垂直パワーMOSFETにおけるシングルイベントゲートの破裂とバーンアウトの実験的研究。原子核科学に関するIEEEトランザクション。1996年4月; 43（2）：533-45。（154回引用）
Brews JR、Allenspach M、Schrimpf RD、Galloway KF、Titus JL、WheatleyCF。パワーMOSFETのシングルイベントゲート破壊の概念モデル。核科学に関するIEEEトランザクション。1993年12月; 40（6）：1959-66。（89回引用）
参考文献
^ 「RCAトランジスタオーラルヒストリーウィートリーインデックス」。Semiconductormuseum.com 。
^ “C.フランクウィートリージュニア| A。メリーランド大学ジェームスクラーク工科大学”。eng.umd.edu 。
^ 「2013年の受賞者」。NJインベンターズ殿堂2018 。
^ Titus JL、Wheatley CF、Gillberg JE、Burton DI イオンエネルギーとそのSEGR硬化ストライプセルMOSFET技術への影響の研究。原子核科学に関するIEEEトランザクション。2001年12月; 48（6）：1879-84。
^ 「追悼」。原子核科学に関するIEEEトランザクション。61（6）：2817. 12月2014 Bibcode：2014ITNS … 61.2817。。土井：10.1109 /TNS.2014.2372823。ISSN 1558年から1578年。 ^ 「CFWheatley」。WorldCat 。
エンジニア、発明家、または工業デザイナーに関するこ
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