S._C._Jain
インドの政治家については、Suresh ChandJainを参照してください
Suresh Chand Jain（1926年12月5日– 2009年12月10日）は、インドの物理学者であり、防衛研究開発機構の所長でした。固体物理学で彼の研究で知られ、ジャイナ教はの選出された仲間だったインド国立科学アカデミーと全米科学アカデミー、インド。1966年、インド政府の科学研究の頂点機関である科学産業研究評議会は、彼の物理科学への貢献に対して、インドの最高の科学賞の1つであるシャンティスワラップバトナガー科学技術賞を授与しました。
SCジャイン
生まれ（1926-12-05）1926年12月5日
サハーランプル、
ウッタルプラデーシュ州、インド
死亡しました
2009年12月10日（2009-12-10）（83歳）インド 国籍
インド人
母校
デリー大学
国立物理研究所
で知られている
固体物理学に関する研究 賞 1966年 シャンティスワラップバトナガー賞
科学的キャリア
田畑
固体物理学
半導体デバイス
機関
国立物理研究所
IITデリー DRDO イリノイ大学
原子力研究機関
ロンドンのインペリアルカレッジ
指導教官
KSクリシュナン
コンテンツ
1 バイオグラフィー
2 遺産
3 賞と栄誉
4 選択された参考文献
4.1 本 4.2 記事
5 も参照してください
6 ノート
7 参考文献
バイオグラフィー
IITデリー
で1926年12月5日に生まれSCジャイナ教、サハーランプルのインドの状態ではウッタル・プラデーシュ州、1949年に物理学の修士学位を取得してから、固体物理学の博士号を取得して、それをフォローアップし、デリー大学で彼の研究を行って、1955年に国立物理研究所、Kariamanickam SrinivasaKrishnanの下のデリー。その後、彼はリーズ大学の教員の地位に就くために英国に移り、1958年までそこで働いた。 インドに戻ると、彼はインド工科大学に入学した。デリーでは、1965年から1968年まで物理学部長を務め、1966年から1969年まで理学部長を務めました。同時に、母校である国立物理研究所で働き、副学長を務めました。 1965年から69年の間はディレクター、1969年から74年まではSolid State Physics Laboratory（SSPL）のディレクターを務めました。SSPLを率いる間、彼は防衛研究開発機構（DRDO）の理事も務めました。間に、彼は教授の割り当てを訪問したイリノイ大学、原子力研究所を設立し、ロンドンのインペリアル・カレッジ（1975年から1977年）。
ジェインは2009年12月10日に83歳で亡くなりました。
遺産
博士研究中に、ジェインは彼の指導者、KSクリシュナン、の同時発見アシストラマン効果、に熱伝導性の固体の。この時期に、デュオは高温での固体の熱伝導率を測定する方法を開発し、記事「金属と半導体の熱電子定数」に掲載されました。II。ロンドン王立協会紀要の1952年の最初の移行グループの金属。シリーズA、数学的および物理科学以降、別の記事「1954年のBritish Journal of Applied Physics」の高温での熱伝導率の決定によってさらに説明されています。測定プロトコルは、後に「」として知られるようになりました。 Jain-Krishnanメソッド」。極性結晶、薄膜、半導体デバイスは彼が取り組んだ他の分野のいくつかであり、彼は世界中で使用されているこれらの分野で実験技術を開発したことで評価されました。彼はまた軍用の電子機器の開発にも貢献した。彼の研究は多くの記事によって文書化されており、彼は4冊の本を出版しました。半導体の最近の進歩：理論と技術、非金属結晶、ゲルマニウム-シリコンひずみ層とヘテロ構造、、ハロゲン化アルカリ結晶にドープされた原子および分子イオンの電子吸収と内部および外部振動データ。
Jainは、1968年4月に開催されたインド工科大学デリー校（IITデリー）プログラムである半導体理論と技術に関する国際高等学校の所長でした。彼は、IITデリーで開催された非金属結晶の科学技術に関する国際会議の議長を務めました。1969年1月に、その固体委員会のメンバーとして純粋な応用物理学の国際連合に関連付けられました。彼はまた、放射線の影響と固体の欠陥、結晶格子の欠陥とアモルファス材料、非金属のジャーナルなどのジャーナルの編集委員会のメンバーであり、電気電子学会の上級メンバーでした。
賞と栄誉
科学産業研究評議会は、1966年に最高のインド科学賞の1つであるシャンティスワルプバトナガル賞をジャインに授与し、インド国立科学アカデミーは1979年に彼をフェローに選出しました。彼は全米科学アカデミー、インド、 ロンドンの物理学会、米国物理学会、ファラデー協会と電子の機関及び電気通信エンジニア。
選択された参考文献編集
本
SCジャイン（1971）。半導体の最近の進歩：理論と技術：1968年4月6日から5月5日にニューデリーのインド工科大学で開催された半導体の理論と技術に関する国際高等学校の議事録。ヒンドゥスタンパブ。Corp.（インド）。NS。255 OCLC 633996854。
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記事
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も参照してください
非金属
熱電子放出
インドポータル
物理ポータル
ノート
^ 長いリンク–詳細を表示するには受賞年を選択してください
^ 長いリンク–詳細を表示するには、 JをクリックしてSCJainを選択してください
^ 選択された参考文献のセクションを参照してください
参考文献
^ 「Bhatnagar受賞者を見る」。シャンティスワラップバトナガー賞。2016 。取得した12年11月2016。
^ “”伝記””。ジャイナ教百科事典。2017年。
^のE 、F 、G
、 “”故人の仲間”。インド国立科学アカデミー。2017年。
^ 「KariamanikkamSrinivasaKrishnan」。VigyanPrasarサイエンスポータル。2017年。2007年12月23日のオリジナルからアーカイブ。
^ タラチャンドゴエル（2017）。「高温での金属の導電率と放射率」（PDF）。IITデリー。
^ SCジャイン、KSクリシュナン（1952）。「金属および半導体の熱電子定数。II。第1遷移グループの金属」。ロンドン王立協会紀要。シリーズA、数学および物理科学。215（1123）：431–437。Bibcode：1952RSPSA.215..431J。土井：10.1098 /rspa.1952.0222。JSTOR 99091。S2CID 97000522。 ^ SC Jain（1954）。「高温での熱伝導率の決定」。応用物理学の英国ジャーナル。5（12）：426–430。Bibcode：1954BJAP …. 5..426K。土井：10.1088 / 0508-3443 / 5/12/302。
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^ 「シャンティスワラップバトナガー賞受賞者のハンドブック」（PDF）。科学産業研究評議会。1999年。
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^ SC Jain、LT Chadderton（1970）。非金属結晶：ニューデリーの非金属結晶の科学と技術に関する国際会議の議事録。Gordon and Breach SciencePubl。NS。335. ISBN 9780677142104。OCLC 964077912。
^ SC Jain（1994）。ゲルマニウム-シリコンひずみ層とヘテロ構造。アカデミックプレス。NS。302. ISBN 9780120145980。OCLC 30078949。
^ SCジャイン; AVR Warrier、SK Agarwal（1974）。ハロゲン化アルカリ結晶にドープされた原子および分子イオンの電子吸収および内部および外部振動データ。国立標準局。NS。51. OCLC 351740405。 ^ 「受賞者のCSIRリスト」。科学産業研究評議会。2017年。
^ 「INSAイヤーブック2016」（PDF）。インド国立科学アカデミー。2017年。
^ 「NASI故人の仲間」。国立科学アカデミー、インド。2017年。”