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タイプI超伝導体

Type-I_superconductor

超伝導
バルク超伝導体の内部には、マイスナー効果として知られる現象である弱い磁場が侵入できません。印加磁場が大きくなりすぎると、超電導が崩れます。超電導体は、この破壊がどのように発生するかによって、2つのタイプに分けることができます。I型超伝導体、超伝導が急激介して破壊される一次相転移印加磁界の強さが臨界値を超えて上昇する場合のH C。このタイプの超伝導は、通常、アルミニウム、鉛、水銀などの純金属によって示されます。唯一合金今展示I型超伝導まで知らTaSiからである2。共有超電導SiCは:B、シリコンカーバイド高濃度にボロンがドープされたが、また、I型です。
減磁係数によっては、中間状態になる場合がLev Landauによって最初に記述されたこの状態は、HusimiQ表現を形成する巨視的な非超伝導ドメインと超伝導ドメインへの相分離です。
この振る舞いは、2つの臨界磁場を示すタイプII超伝導体とは異なります。最初の、より低い臨界磁場は、磁束渦が材料を貫通するときに発生しますが、材料はこれらの微視的な渦の外側で超伝導のままです。渦密度が大きくなりすぎると、材料全体が非超伝導になります。これは、2番目のより高いクリティカルフィールドに対応します。
ロンドンの侵入深さ λと超伝導コヒーレンス長 ξの比によって、超伝導体がタイプIかタイプIIかが決まります。第二種超伝導体は0 1 /√2の超伝導体です。

参考文献
^ U。ゴットリーブ; JCラスジャウニアス; JL Tholence; O.ラボルド; O.トーマス; R.マダール(1992)。「超伝導ではTaSi 2つの単結晶」。物理学 牧師B。45(9):4803–4806。Bibcode:1992PhRvB..45.4803G。土井:10.1103 /physrevb.45.4803。PMID  10002118。
^ Kriener、M; 村中徹; 加藤、J; レン、ZA; 秋光、J; 前野恭子(2008)。「ホウ素を高濃度にドープした炭化ケイ素の超伝導」。科学 技術。Adv。Mater。9(4):044205. arXivの:0810.0056。Bibcode:2008STAdM … 9d4205K。土井:10.1088 / 1468-6996 / 9/4/044205。PMC 5099636。PMID 27878022。    ^ ランダウ、LD(1984)。連続媒体の電気力学。8。バターワース・ハイネマン。ISBN  0-7506-2634-8。
^ Tinkham、M。(1996)。超電導入門、第2版。ニューヨーク州ニューヨーク:McGraw-Hill。ISBN  0486435032。

も参照してください
第二種超伝導体 –印加された磁場での磁気渦の形成を特徴とする超伝導体
従来の超伝導体 –BCS理論またはその拡張によって記述された超伝導性を示す材料
共有超伝導体 –原子が共有結合によって結合されている超伝導材料
高温超伝導 –絶対零度よりはるかに高い温度での超伝導挙動
超伝導体のリスト
超伝導体の分類 –さまざまな種類の超伝導体
超電導の技術的応用
タイプ1.5超伝導体 –2つ以上のコヒーレンス長を特徴とする多成分超伝導体
型破りな超伝導体 –既存の確立された理論では説明されていない超伝導体材料

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